درخواست قیمتاستعلام قیمت
EV2A16AMNYU35

قطعات الکترونیکی

EV2A16AMNYU35

تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات مستندات را اعلام کنید. موجودی و شرایط تأمین هنگام ارائه قیمت تأیید می‌شوند.

استعلام این قطعه ↗

ارسال BOM کامل →

اطلاعات محصول

توضیحات محصولات
EV2A16A یک دستگاه حافظه دسترسی تصادفی (MRAM) با مقاومت مغناطیسی 4,194 بیتی است که به صورت 262,144 کلمه 16 بیتی سازماندهی شده است.

 

امکانات
EV2A16AMNYU3502

EV2A16AMNYU35، یک راه حل MRAM با سرعت بالا و انعطاف پذیر برای نیازهای حافظه شما. با قابلیت خواندن و نوشتن متقارن و زمان دسترسی سریع، می توانید مطمئن باشید که داده های شما به سرعت و کارآمد پردازش می شوند.

 

EV2A16AMNYU35 کنترل گذرگاه داده انعطاف پذیری را ارائه می دهد که امکان دسترسی 8 بیتی یا 16 بیتی را فراهم می کند. به‌علاوه، زمان‌های دسترسی برابر با آدرس و تراشه، تضمین می‌کند که داده‌ها به راحتی قابل دسترسی و پردازش هستند.

 

این راه حل نه تنها سریع و کارآمد است، بلکه حفاظت خودکار داده ها را برای امنیت بیشتر ارائه می دهد. و به لطف عملکرد کاملا ثابت آن، می توانید مطمئن باشید که

 

EV2A16AMNYU35 عملکرد حافظه قابل اعتمادی را ارائه می دهد.

به طور خلاصه، EV2A16AMNYU35 یک راه حل برتر MRAM است که یک راه حل حافظه با سرعت بالا، انعطاف پذیر و قابل اعتماد برای تمام نیازهای ذخیره سازی داده شما ارائه می دهد.

حفاظت خودکار داده ها
عملکرد کاملا استاتیک
آدرس برابر و زمان دسترسی با تراشه فعال
مولفه های

 

روش بسته بندی ولتاژ ورودی دمای عملیاتی
TSOP٪ 7b٪ 7b0٪ 7d٪ 7d {{0}}.5 تا 4.0 ولت -55 درجه تا 125 درجه

 

 

 
بعد، ابعاد، اندازه

 

product-266-369

 

 

اسناد و اطلاعات فنی

http://af.misuxin-en.com/integrated-circuit/programmable-logic-device/ev2a16amnyu35.html

استعلام خود را آماده کنید

شماره کامل قطعه، تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات بسته‌بندی یا مستندات را ذکر کنید. برای چندین ردیف کالا، BOM خود را پیوست کنید.

راهنمای آماده‌سازی BOM →
استعلام این قطعه ↗