محصولات
-
![KLMAG1JETD{1}}B041]()
KLMAG1JETD{1}}B041بیشترSamsung KLMAG1JETD-B041 یک دستگاه ذخیره سازی فلش جاسازی شده 32 گیگابایتی eMMC 5.1 است که NAND Flash با کارایی بالا- را با یک کنترلر eMMC پیشرفته در یک بسته فشرده BGA ادغام می کند.
-
![KLM4G1FETE{2}}B041]()
KLM4G1FETE{2}}B041بیشترSamsung KLM4G1FETE-B041 یک دستگاه فلش مموری جاسازی شده 4 گیگابایتی eMMC 5.1 است که برای برنامههای ذخیرهسازی فشرده، کم-قدرت- و قابلیت اطمینان بالا طراحی شده است. NAND Flash و یک-کارایی بالا- eMMC
-
![K4B4G1646E{3}}BMMA]()
K4B4G1646E{3}}BMMAبیشترSamsung K4B4G1646E{3}}BMMA یک دستگاه 4 گیگابیت DDR3 SDRAM است که برای برنامههای حافظه با سرعت بالا، کم-بهینهسازی شده است. پهنای داده x16 ارائه میکند و به طور گسترده در لوازم الکترونیکی مصرفی،
-
![H9HCNNNBKUMLXR{1}}NEE]()
H9HCNNNBKUMLXR{1}}NEEبیشترSK hynix H9HCNNNBKUMLXR-NEE یک دستگاه حافظه یکپارچه uMCP (UFS + LPDDR4X MCP) است که ذخیرهسازی فلش UFS با کارایی بالا و DRAM کم-LPDDR4X را در یک بسته BGA جمعوجور، ماژولهای قابل پوشیدن، تبلتهای
-
![K4F6E3S4HM{4}}THCL]()
K4F6E3S4HM{4}}THCLبیشترSamsung K4F6E3S4HM{4}}THCL یک دستگاه 24 گیگابیتی LPDDR4 SDRAM است که برای برنامههای تلفن همراه و جاسازیشده با کارایی بالا، کم مصرف{{8} طراحی شده است. این دستگاه پهنای باند بالا، بهرهوری انرژی
-
![MT53E512M32D1NP-046]()
MT53E512M32D1NP-046بیشترMicron MT53E512M32D1NP-046 یک دستگاه SDRAM 16 گیگابایتی LPDDR4X (DDR4X کم مصرف) است که برای برنامههای-عملکرد و قدرت{12} بالا بهینه شده است. دارای ورودی/خروجی 32 بیتی، سرعت عملیاتی بسیار پایین برای
-
![MT53D512M32D2DS-053]()
MT53D512M32D2DS-053بیشترMicron MT53D512M32D2DS{7}}053 یک دستگاه 16 گیگابیتی LPDDR5 SDRAM است که برای برنامههای کاربردی با کارایی بالا و کم مصرف طراحی شده است. این دستگاه پهنای باند بهبود یافته، کاهش مصرف انرژی و قابلیت
-
![TM-002-M-01]()
TM-002-M-01بیشترTM-002-M-01
-
![TM-001-D1-01]()
TM-001-D1-01بیشترTM-001-D1-01
-
![DSHP01TS{1}}S]()
DSHP01TS{1}}SبیشترDSHP01TS{1}}S
