K4B4G1646E-MABA

E-die 4 گیگابایتی DDR3 SDRAM به عنوان یک دستگاه 32 مگابیت x 16I/Os x 8banks سازماندهی شده است. این دستگاه همزمان به سرعت انتقال داده با سرعت دو برابر تا 1866 مگابیت بر ثانیه/پین (DDR3-1866) برای کاربردهای عمومی می‌رسد. این تراشه به گونه‌ای طراحی شده است که با ویژگی‌های کلیدی DDR3 SDRAM مانند CAS ارسال شده، CWL قابل برنامه‌ریزی، کالیبراسیون داخلی (خود)، در پایان با استفاده از پین ODT و بازنشانی ناهمزمان مطابقت داشته باشد. تمام ورودی های کنترل و آدرس با یک جفت ساعت دیفرانسیل خارجی عرضه شده هماهنگ می شوند. ورودی ها در نقطه تقاطع ساعت های دیفرانسیل (CK افزایش و CK کاهش می یابد) چفت می شوند. همه ورودی/خروجی ها با یک جفت بارق دو طرفه (DQS و DQS) به صورت همزمان منبع همگام می شوند. گذرگاه آدرس برای انتقال اطلاعات سطر، ستون و آدرس بانک در سبک مالتی پلکسی RAS/CAS استفاده می شود. دستگاه DDR3 با یک منبع تغذیه 1.35V (1.28V~1.45V) یا 1.5V (1.425V~1.575V) و 1.35V (1.28V~1.45V) یا 1.5V (1.425V~1.575V) VDDQ کار می کند.