قطعات الکترونیکی
K4Z80325BC-HC14
تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات مستندات را اعلام کنید. موجودی و شرایط تأمین هنگام ارائه قیمت تأیید میشوند.
استعلام این قطعه ↗رابط پرسرعت GDDR6 SGRAM برای اتصالات نقطه به نقطه به کنترلر میزبان بهینه شده است. خاتمه روی قالب (ODT) برای تمام سیگنال های رابط پرسرعت ارائه شده است تا نیاز به مقاومت های پایان در سیستم را از بین ببرد. GDDR6 از معماری پیش واکشی 16n و رابط DDR برای دستیابی به عملکرد با سرعت بالا استفاده می کند. معماری دستگاه شامل دو کانال 16 بیتی کاملا مستقل است. GDDR6 از ساعت دیفرانسیل CK{11}}t و CK_c کار میکند. CK برای هر دو کانال مشترک است. فرمان و آدرس (CA) در هر لبه صعودی CK و هر لبه در حال سقوط CK ثبت می شود. هر دو فرمان تک چرخه و چند چرخه وجود دارد. برای جزئیات بیشتر به جدول حقیقت دستور مراجعه کنید.
اطلاعات محصول
امکانات
• 2 کانال مستقل مجزا با رابط نقطه به نقطه برای داده، آدرس و فرمان
• ورودی های ساعت دیفرانسیل نرخ داده نیم CA CK_t/CK_c برای CMD/ADD (CA) در هر ۲ کانال
• چهار ورودی ساعت دیفرانسیل نیم نرخ داده WCK_t/WCK_c، که هر کدام با یک بایت داده (DQ، DBI_n، EDC) در کانال مرتبط هستند
• دادههای دو نرخ داده (DDR) (با توجه به WCK)
• آدرس فرمان دو نرخی داده (DDR) (با توجه به CK)
• 16 بانک داخلی
• 4 گروه بانک برای tCCDL=3 tCK و 4 tCK
• معماری پیش واکشی 16n: 256 بیت در هر آرایه دسترسی خواندن یا نوشتن در هر کانال
• طول انفجار: فقط 16
• تأخیر READ قابل برنامه ریزی: 9 تا 31 tCK
• تأخیر WRITE قابل برنامه ریزی: 5 تا 8 tCK
• WRITE عملکرد ماسک داده از طریق گذرگاه CA (ماسک تک بایتی/دو بایتی)
• وارونگی گذرگاه داده (DBI) و وارونگی گذرگاه آدرس فرمان (CABI)
• آموزش آدرس فرمان: نظارت بر ورودی آدرس فرمان توسط سیگنالهای DQ/DBI{0}n/EDC
• آموزش ساعت WCK2CK با اطلاعات فاز توسط سیگنال های EDC
• آموزش خواندن و نوشتن داده ها از طریق READ FIFO (عمق 6)
• پیش بارگذاری الگوی FIFO با دستور LDFF
• بارگذاری داده های نوشتن مستقیم به READ FIFO با دستور WRTR
• خواندن متوالی READ FIFO با دستور RDTR
• یکپارچگی انتقال داده خواندن/نوشتن با بررسی افزونگی چرخهای با استفاده از نیم یا کامل نرخ داده CRC تضمین شده است
• حالت روشن/خاموش EDC READ/WRITE
• الگوی نگهداری EDC قابل برنامه ریزی برای CDR
• تأخیر CRC READ قابل برنامه ریزی=1 تا 4 tCK و تأخیر CRC WRITE=10 تا 16 tCK
• حالت های کم مصرف
• سنسور دمای روی تراشه با قابلیت خواندن
• شارژ خودکار برای هر دسترسی پشت سر هم
• حالت های تازه سازی خودکار و خود به روز رسانی
• 32 میلیثانیه، بهروزرسانی خودکار (16 هزار چرخه)
• نرخ تازه سازی خود کنترل شده توسط سنسور دما و بازخوانی آرایه جزئی
• به ازای هر بانک / به ازای-2-بازسازی بانک
• خاتمه روی قالب (ODT)
• کالیبراسیون خودکار ODT و قدرت درایور خروجی با مقاومت خارجی ZQ
• خاتمه قابل برنامه ریزی و افست قدرت درایور (40 اهم تا 60 اهم)
• VREF داخلی برای ورودی های داده و ورودی های CA با سطوح قابل برنامه ریزی
• VREF داخلی جداگانه برای ورودی های CA (فرمان / آدرس).
• فروشنده ID1 و ID2 برای شناسایی
• پیکربندی حالت x16/x8 در روشن شدن با EDC تنظیم شده است
• پیکربندی حالت شبه کانال (حالت PC) در روشن شدن با CA6 تنظیم شده است
• 1.35 ولت پلاس /- 0.0تغذیه 405 ولت برای عملکرد دستگاه (VDD) (قطعات خاص از 1.25 ولت به علاوه 0.0375 ولت پشتیبانی می کند)
• 1.35 ولت پلاس /- 0.0تغذیه 405 ولت برای رابط ورودی/خروجی (VDDQ) (قطعات خاص از 1.25 ولت و 0.0375 ولت پشتیبانی میکنند)
• منبع تغذیه 1.8 به علاوه 0.108V / - 0.054V برای VPP
• بسته 18 0 توپی BGA با زمین 0.75 میلیمتری
• اسکن مرزی مطابق با IEEE1149.1
اسناد و اطلاعات فنی
http://af.misuxin-en.com/memory/ddr-sdram/k4z80325bc-hc14.htmlاستعلام خود را آماده کنید
شماره کامل قطعه، تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات بستهبندی یا مستندات را ذکر کنید. برای چندین ردیف کالا، BOM خود را پیوست کنید.
راهنمای آمادهسازی BOM →