قطعات الکترونیکی
ماسفت G3R160MT17J
تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات مستندات را اعلام کنید. موجودی و شرایط تأمین هنگام ارائه قیمت تأیید میشوند.
استعلام این قطعه ↗اطلاعات محصول
توضیحات محصولات
|
G3R160MT17J یک ماسفت نیمه هادی 1700 ولت 160Ω N-channel SiCFET است. |
امکانات
G3R160MT17J یک ماسفت SiC پیشرفته با حداکثر ولتاژ 1700 ولت و مقاومت پایین در حالت روشن 160 میلی اهم است. فنآوری پیشرفته G3RTM آن امکان درایو گیت +15V را میدهد که در نتیجه عملکرد سوئیچینگ عالی و کاهش تلفات سوئیچینگ را به همراه دارد.
این دستگاه دارای ظرفیت کم دستگاه (Coss، CRss) است که کارایی را در کاربردهای فرکانس بالا تا حد زیادی بهبود می بخشد. علاوه بر این، شاخص عملکرد-هزینه برتر را ارائه می دهد، به این معنی که ارزش برجسته ای را برای قیمت خود ارائه می دهد.
G3R160MT17J شامل یک دیود بدنه قوی است که دارای ولتاژ بازیابی معکوس پایین (Ve) و شارژ بازیابی معکوس پایین (QR) است. این امر قابلیت اطمینان در برنامه های کاربردی را تضمین می کند و تلفات سوئیچینگ کم را امکان پذیر می کند.
برای بهینه سازی بیشتر عملکرد G3R160MT17J، آن را با یک پین منبع درایور جداگانه بسته بندی شده است. این امکان ادغام آسان در سیستم های مختلف را فراهم می کند و کنترل دقیق و کارآمد را تضمین می کند.
مولفه های
| روش بسته بندی | ولتاژ منبع نشتی | دمای عملیاتی |
| به-263-7 | 1700 V | -55 درجه تا 175 درجه |
پیکربندی پین
اسناد و اطلاعات فنی
http://af.misuxin-en.com/other-electronic-components/mosfet-g3r160mt17j.htmlاستعلام خود را آماده کنید
شماره کامل قطعه، تعداد، تاریخ مورد نیاز و الزامات بستهبندی یا مستندات را ذکر کنید. برای چندین ردیف کالا، BOM خود را پیوست کنید.
راهنمای آمادهسازی BOM →